Способ определения положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника
Loading...
Files
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
ВНИИПИ
DOI
Abstract
Согласно способу осуществляют предварительное возбуждение полупроводника облучением светом с различными длинами волн из области фоточувствительности и последующее облучение полупроводника излучением с длинами волн, не равными длине волны предварительного облучения.
Description
Citation
Ковалев Л. Е. и др. А.с. 1597039 СССР, МКИ5 H 01 L 21/66 Способ определения положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника / (СССР). № 4604171/31-25; Заявл. 9.11.88; Опубл. 1.06.90.