Способ определения ширины запрещенной зоны и положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника
Loading...
Files
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
ВНИИПИ
DOI
Abstract
Полупроводник предварительно возбуждают электромагнитным излучением из области примесного и собственного поглощения. Затем облучают вторично и измеряют зависимость от длины волны интенсивности облучения при постоянном значении фотопроводимости.
Description
Citation
Ковалев Л. Е. и др. А.с. 1589945 СССР, МКИ5 H 01 L 21/66 Способ определения ширины запрещенной зоны и положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника / (СССР). № 4438996/31-25; Заявл. 10.06.88; Опубл. 1.05.90.