Дослідження діелектричної релаксації у високоомному селеніді цинку
Loading...
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
ДОВ "Вінниця"
DOI
Abstract
Исследование диэлектрических характеристик кристаллов высокоомного ZnSe в диапазоне частот 0.01 Гц - 1 МГц и температур 130 - 450 К позволило сделать вывод, что исходные кристаллы характеризуются неоднородным распределением фоновых примесей и собственных дефектов, что приводит к возникновению областей с различной электропроводностью.
Description
Keywords
Citation
Ковальов Л.Є., Краснобокий Ю.М. Дослідження діелектричної релаксації у високоомному селеніді цинку // Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції „Структурна релаксація у твердих тілах”. – Вінниця. – 2003. – С. 146-148.